红外接收二极管又叫光敏二极管,英文名Infrared receiverdiode or Infrared led and sillicon detector，一般分为两类：光电二极体又称光敏二极管Photo Diode与光敏三极管Photo Transistor；红外接收二极管能很好地接收红外发射管发射波长为峰值波长940nm的700~1200nm的红外光，而对其他可见光有抑制作用/而对于其他波长的光线则不能接收。因而保证了接收的准确性和灵敏度。
光敏二极管的结构与工作原理 光敏二极管又称光电二极管，它与普通半导体二极管在结构上是相似的。入射光通过透镜正好照射在管芯上。光敏二极管管芯是一个具有光敏特性的PN结，它被封装在管壳内。光敏二极管管芯的光敏面是通过扩散工艺在N型单晶硅上形成的一层薄膜。光敏二极管的管芯以及管芯上的PN结面积做得较大，而管芯上的电极面积做得较小，PN结的结深比普通半导体二极管做得浅，这些结构上的特点都是为了提高光电转换的能力。另外，与普通半导体二极管一样，在硅片上生长了一层SiO2保护层，它把PN结的边缘保护起来，从而提高了管子的稳定性，减少了暗电流。
光敏二极管与普通二极管一样，它的PN结具有单向导电性，因此，光敏二极管工作时应加上反向电压。当无光照时，电路中也有很小的反向饱和漏电流，一般为30以下nA(称为暗电流)，此时相当于光敏二极管截止;当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子一空穴对O这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向饱和漏电流大大增加，形成光电流，该光电流随入射光强度的变化而相应变化。光电流通过负载RL时，在电阻两端将得到随人射光变化的电压信号。光敏二极管就是这样完成电功能转换的
